Transistores de Efecto de Campo FET

Transistores de Efecto de Campo FET

Para comprender que es efecto de campo vamos a mencionar el efecto del campo magnético en un imán, el imán tiene la capacidad de atraer limaduras metálicas hacia sí mismo sin requerir un contacto real. El campo magnético del imán envuelve las limaduras y las atrae hacia el imán porque las líneas de flujo magnético actúan hasta donde es posible como un cortocircuito.

Para el caso del FET el efecto de campo es eléctrico, a diferencia del campo magnético el campo eléctrico presenta lineas entre cargas, donde existe un potencial eléctrico que genera una fuerza de atracción o repulsión entre las cargas.

El transistor FET a diferencia del transistor BJT tiene las siguientes características:

• La más importante, alta impedancia de entrada. A un nivel de un megaohm a varios cientos de megaohms excede por mucho los niveles de resistencia de entrada típicos de las configuraciones del transistor BJT.
• Los FET son más estables a la temperatura que los BJT.
• La variación de la corriente de entrada, en general, es mucho mayor para los BJT que para los FET con el mismo cambio del voltaje aplicado.
• Son más pequeños que los BJT, lo que los hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
• Las características de construcción de algunos FET, sin embargo, pueden hacerlos más sensibles al manipuleo que los BJT.

Transistor JFET

El JFET es un dispositivo de tres terminales con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos, la cual nos ayuda a amplificar las señales.

Al igual que en los transistores BJT los JFET tiene dios tipos de transistores: de canal N y de canal P. La terminal que controla la corriente se denomina GATE, y tiene una función similar al terminal BASE de un transistor BJT, El terminal SOURCE es similar al terminal COLECTOR, el terminal DRAIN es similar al terminal EMISOR en un BJT.

Su simbología es la siguiente:

MOSFET.

Los MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operación; el nombre MOSFET significa transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metálico.

MOSFET tipo empobrecimiento.

El MOSFET tipo empobrecimiento, cuyas características son parecidas a las de un JFET tiene además a capa aislante de SiO2 en la construcción la que es responsable de la muy deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.

En realidad, por lo común la resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un JFET típico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de los JFET es suficientemente alta en la mayoría de las aplicaciones. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de compuerta IG es en esencia de 0 [A] para configuraciones en polarización de corriente continua.

Al igual que en el JFET el MOSFET tipo empobrecimiento cuenta con dos tipos que son: MOSFET tipo empobrecimiento de canal N y MOSFET tipo empobrecimiento de canal P.

El símbolo utilizado es el siguiente:

MOSFET tipo enriquecimiento.

Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET tipo enriquecimiento son muy diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta ahora. Una de ellas es la curva de transferencia.

Al igual que en el JFET el MOSFET tipo enriquecimiento cuenta con dos tipos que son: MOSFET tipo enriquecimiento de canal N y MOSFET tipo enriquecimiento de canal P.

El símbolo utilizado es el siguiente:

A partir de los diferentes enlaces de Internet que se sugieren al final, busque la información que necesites sobre las cuestiones y diseños que aparecen a continuación y realiza las actividades que se indican en el apartado "process".

¿Cómo esta construido un transistor JFET?

¿Cómo esta construido un transistor MOSFET del tipo empobrecimiento?

¿Cómo esta construido un transistor MOSFET del tipo enriquecimiento?

¿Cuales son las ecuaciones utilizadas en la polarización de un transistor JFET?

¿Cuales son las ecuaciones utilizadas en la polarización de un transistor MOSFET del tipo empobrecimiento?

¿Cuales son las ecuaciones utilizadas en la polarización de un transistor MOSFET del tipo enriquecimiento?

Diseñar un circuito sencillo aplicando JFET.

Diseñar un circuito sencillo aplicando MOSFET del tipo empobrecimiento.

Diseñar un circuito sencillo aplicando MOSFET del tipo empobrecimiento.

http://www.refseek.com

http://www.scienceresearch.com

http://www.jurn.org

http://worldwidescience.org

https://scholar.google.es/

1. Los estudiantes se deben organizar en grupos de tres estudiantes como máximo.
2. Los estudiantes pueden repartirse el trabajo y luego unir el trabajo para verificarlo.
3. Cada grupo debe implementar cada diseño en protoboard para la demostración.
4. Cada grupo debe entregar en un documento las respuestas a las preguntas y los diseños de cada circuito.
5. Cada grupo debe realizar la demostración del funcionamiento del circuito diseñado en laboratorio de electrónica.

Hemos conocido sobre un nuevo tipo de transistor, el transistor de efecto de campo FET, donde podemos apreciar los diferentes tipos que conforman esta gran familia, además comparamos sus principales características con el ya conocido transistor BJT.

Algo importante que recalcar es que algunos transistores FET son delicados a la tensión estática, pero este es el punto negativo en todas las ventajas que presenta.

Ahora ya podemos reconocer la simbología utilizada con los transistores JFET y MOSFET, además de sus ecuaciones que nos ayudan a polarizarlo para poder diseñar circuitos además de poder re-adecuar circuitos utilizados con el transistor BJT.

Este tipo de transistor es muy utilizado en el diseño de computadoras por su alto desempeño y velocidad por lo que el estudiante debe analizarlo y plantearlo como alternativa en sus futuros proyectos electrónicos.